Электроника

52 Рис. 3.5. Линейные модели биполярного транзистора в активном режиме Источник тока, управляемый током (ИТУТ) в цепи коллек- тора учитывает зависимость между токами базы и коллектора в активном режиме: I к =  I б . Режим насыщения. В режиме насыщения и эмиттерный, и кол- лекторный переходы открыты, поэтому напряжения база-эмиттер и коллектор-база малы. Напряжения на всех трех электродах транзис- тора отличаются не более чем на 1В. Простейшая модель биполяр- ного транзистора, соответствующая режиму насыщения, представ- ляет собой звезду из короткозамкнутых ветвей (рис. 3.6, а ). Рис. 3.6. Модель биполярного транзистора в режиме насыщения: а – приближенная; б – точная a б К Б Б Э К Э Е 0 Е 0 I э I б    б    б Б К Э Э К Б I б I к Е 0 Е нас R нас I э