Электроника

51 Рис. 3.4. ВАХ биполярного транзистора: а – входная; б – выходная Рассмотрим линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора: активного, насыщения и отсечки. Активный режим. Этому режиму соответствуют семейство горизонтальных прямых на рис. 3.4 б и вертикальный отрезок на рис. 3.4, а . Эквивалентные схемы, соответствующие кусочно-линейным ВАХ, показаны на рис. 3.5. Источник E 0 учитывает прямое напряже- ние эмиттерного перехода. Для кремниевых транзисторов E 0 = 0,6 – 0,7 В. Поскольку сопротивления ветвей базы и эмиттера в схеме замещения равны нулю, его можно включить как в ветвь базы, так и в ветвь эмиттера. Здесь I э 0 – обратный ток эмиттерного перехода. Действие об- ратносмещенного коллекторного перехода учитывает управляемый источник тока. Модель транзистора для инверсного режима получим, поменяв местами диод и источник тока в схеме на рис. 3.3, а . Эквивалентная схема для инверсного режима показана на рис. 3.3, б . При ручных расчетах очень удобно использовать линейные модели биполярных транзисторов. Рассмотрим ВАХ n-p-n -транзис- тора, включенного по схеме с общим эмиттером. Для упрощения ана- лиза представим их отрезками прямых (рис. 3.4). Такое кусочно-ли- нейное представление характеристик позволяет получить линейную модель для каждого режима работы транзистора. a б U бэ U кэ 0,6 I б I к I б4 I б3 I б2 I б1 I б = 0