Электроника

50 Модели для режима большого сигнала учитывают нелиней- ность характеристик полупроводникового прибора, модели для режи- ма малого сигнала содержат только линейные элементы. В свою очередь, модели для режима большого сигнала делят на глобальные и локальные. Глобальные модели позволяют прово- дить анализ при всех возможных изменениях напряжений и токов. Такие модели сложны и содержат большое количество нелинейных элементов. Они используются в программах машинного анализа элек- тронных схем. Локальные модели предназначены для расчета токов и напря- жений электронного прибора только в пределах определенных участ- ков его характеристик. Такие модели используют в основном при ручных расчетах для приближенного определения рабочих точек элек- тронных устройств. Чем сложнее модель, тем более точные резуль- таты она позволяет получить. Однако анализ эквивалентной схемы в этом случае весьма трудоемок, поэтому для ручных расчетов целе- сообразно выбирать простейшие модели, позволяющие получить ре- зультаты с приемлемой точностью. Простейшая нелинейная модель биполярного транзистора по- казана на рис. 3.3, а . Она удовлетворительно моделирует характери- стики транзистора в активном режиме. Но режимы насыщения и от- сечки с ее помощью моделировать нельзя. Рис. 3.3. Модель биполярного транзисторов в режиме: а – активном; б – инверсном Эмиттерный переход представлен диодом, ВАХ которого опре- деляется выражением: бэ э э0 1 T U I I e            . (3.1) a б Э Э Б Б К I э К I к    э    к