Электроника

53 Более точная модель для режима насыщения (рис. 3.6, б ) учи- тывает напряжение открытого эмиттерного перехода и ненулевое сопротивление коллекторного перехода. Для кремниевых транзисто- ров E 0 = 0,6 – 0,7 В, E нас = 0,2 В. Сопротивление резистора R нас в цепи коллектора не превышает 50 Ом. Во многих случаях его пола- гают равным нулю. Режим отсечки. В этом режиме эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении, поэтому I к = 0, I б = 0, I э = 0. Простейшая модель, соответствующая этому режиму, пред- ставляет разрыв (рис. 3.7). Рис. 3.7. Модель биполярного транзистора в режиме отсечки 3.2. Расчет режима работы биполярного транзистора В зависимости от величины и полярности напряжений на пере- ходах транзистора возможны четыре режима его работы (табл. 3.1). Таблица 3.1 Состояние переходов Режим Эмиттерный Коллекторный Активный Открыт Закрыт Насыщения Открыт Открыт Отсечки Закрыт Закрыт Инверсный Закрыт Открыт К Э Б