Основы проектирования электронных средств

материале. Максимально допустимый ПИЧ, который может вы­ держать биполярный транзистор, для заданного изменения пара­ метра hjx определяется из соотношения; FyV<5,15Ky „(A2i//!2r- 1)/ Й2ь где уа - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общей базой, Гц; йт] - коэффициент передачи транзистора по то­ ку в схеме с общим эмиттером до начала ИИ; h "21 - коэффициент передачи транзистора по току в схеме с общим эмиттером после ИИ; К - постоянная, зависящая от типа транзистора, нейтр • с/см^ (для германиевых транзисторов р-и-р-типа К = (4,2 ± 0,2) • Ю' и я-р-и-типа А" = (1,8 ± 0,2) 10^; для кремниевых транзисторов p-n-p-ima. К = (0,3 ± 0,04) • Ю' и п-р-и-типа К= (0,46 ±0,033) • 10^ При прочих равных условиях наиболее устойчивы к ИИ транзисторы с минимальными размерами структуры и ступенчатым распределением примеси в р-и-переходах. Для повыщения радиа­ ционной стойкости РЭС рекомендуется применять высокочастот­ ные транзисторы с пассивирующими покрытиями на поверхности кристалла и с низкой мощностью рассеяния, работающие в режиме больших токов. Полевые транзисторы. Радиационная стойкость определяет­ ся изменениями поверхностных и объемных состояний, которые обусловлены процессами в окисле, покрывающем поверхность приборов. По сравнению с биполярными полевые транзисторы выдерживают меньшие уровни ИИ. Наиболее чувствительны к воз­ действию ИИ транзисторы с изолированным затвором (МДП тран­ зисторы). Уже при ПДИ фотонного излучения менее 10^ рад и ПИЧ, равном 10'~ част./с.м", наблюдается необратимый сдвиг ха­ рактеристик прямой передачи в сторону более отрицательных смещений затвора (изменение порогового напряжения). Направле­ ние сдвига не зависит от типа проводимости канала и напряжения на затворе. Равные дозы различных излучений создают одинаковый сдвиг характеристик. Абсолютная величина сдвига зависит от толщины и материа­ ла диэлектрической пленки (чувствительность к ИИ снижается в следующей последовательности: SiOi, SiN4, SiO, AbOi), мате­ 436