Основы проектирования электронных средств

риала электродов, технологии изготовления приборов, напряжения на затворе. Наиболее устойчивыми к ИИ являются МДП структуры с ди­ электриком на основе АЬО, Они вьщерживают фотонные излуче­ ния с ИДИ до Ю' рад м уровни быстрых нейтронов ПИЧ до Ю'' нейтр /см^. Униполярные транзисторы с управляющим р-и-переходом обладают большей устойчивостью к ИИ, чем МДП транзисторы. Последствия ИИ проявляются в увеличении тока утечки затвора. Минимально изменяются и характеристики тран­ зисторов с р-каналом: ток утечки затвора при ИИ не превышает 10 нА. В транзисторах с п-каналом при обратном смещении на за­ творе ток утечки \южет достигать I мкА. Таки.м образом, среди полевых транзисторов наибольшей ус­ тойчивостью к воздействию ИИ обладают приборы с управляющим р-п-переходом и р-каналом. Интеграпные микросхемы. Действие ИИ проявляется в обра­ тимых нарушениях работоспособности, вызванных ионизационными эффектами, и в необратихюй деградации параметров. Основными причинами нарушения работоспособности являются изменение параметров у входящих в них элементов (резисторов, транзисторов и др.), повреждение межсоединений, ухудшение качества изоляции. Радиационная стойкость конкретных ИС определяется их конструк- тивно-технологическими и схемными особенностями. Конструктивно-технологические методы повышения радиа­ ционной стойкости ИС заключаются в следующем: - обеспечение стойкости к ИИ активных и пассивных элементов; - создание надежной электрической изоляции элементов в условиях воздействия ИИ; - использование радиационно-стойких проводящих и диэлек­ трических пассивирующих материалов; - ослабление первичного ИИ за счет рационального выбора конструкции корпуса и применение материалов, поглощающих энергию ИИ. Наименее устойчивы к ИИ ИС с изоляцией встречно вклю­ ченными р-и-переходами. Уже при ИДИ Ю''... 10® рад существенно возрастает уровень электрических паразитных связей между эле­ 437