Основы проектирования электронных средств

ИИ (ПДИ Ю" рад, мощность ПДИ 10" рад/с) возникают фототоки, возрастает обратный ток (на 10%), уменьшается емкость р-и-перехода (на 10%). Через несколько дней после прекращения ИИ параметры диодов восстанавливаются до первоначальных. Кремниевые диоды. Нейтронное излучение при ПИЧ по­ рядка Ю'' нейтр/см" вызывает заметное изменение вольт-амперных характеристик. При этом проводимость точечно-контактных дио­ дов уменьшается в прямом и обратном направлениях. У плоскост­ ных диодов проводимость в прямом направлении также уменьша­ ется. В обратном направлении проводимость некоторых типов пло­ скостных кремниевых диодов с увеличением нейтронного потока увеличивается и достигает максимума при некоторой величине по­ тока, после чего уменьшается. При О= 423 К воздействие ИИ па прямые характеристики сказывается меньше, нежели при нор­ мальной температуре. Облучение нейтронами позволяет до 1000 раз уменьшить время переключения кремниевых диодов. Полный отказ диодов при нейтронном облучении наблюдается при ПИЧ порядка 10"'-^10" нейтр./см": у-излучение вызывает обратимые из­ менения вольт-амперных характеристик. Туннельные диоды. При нейтронном ИИ заметное изменение вольт-амперных характеристик диодов наблюдается лишь при ПИЧ порядка 10" нейтр./см'. Потенциальная устойчивость туннельных диодов к ИИ обусловлена низким удельным сопротивлением полу­ проводникового материала, сравнительно высокой рабочей темпе­ ратурой, слабой зависимостью характеристик диодов от ионизаци­ онных эффектов, Интеграчьные диоды (диоды в составе структуры полупровод­ никовых микросхем). Радиационная стойкость обеспечивается при использовании коллекторного или эмиттерного переходов радиаци- онно-стойкого транзистора. Наибольшей устойчивостью к ИИ обла­ дают высокочастотные диоды, которые имеют тонкую базу. Биполярные транзисторы. Радиационная стойкость в основ­ ном определяется деградацией коэффициента передачи по току. Второстепенные эффекты наблюдаются в изменении вольт-ампер­ ных характеристик р-и-переходов, уменьшении емкостей перехо­ дов. Главная причина дефадацми параметров биполярных транзи­ сторов при ИИ - радиационные дефекты в полупроводниковом 435