Основы проектирования электронных средств

Электролитические конденсаторы при облучении ненадеж­ ны. Возможна их разгерметизация из-за разложения элекфолита. Изменение емкост и носит нерегулярный характер. Полупроводниковые приборы. Воздействие ИИ служит при­ чиной обрашмых либо необратимых радиационных дефектов, яв­ ляющихся следствием ионизации и структурных нарушений в кристаллах. Ионизирующее действие радиации приводит к генера­ ции в объе.ме полупроводника избыточных зарядов. Заряды, двига­ ясь под действием градиентов концентраций и электрических полей, создают фототоки. Величина избыточных фототоков про­ порциональна объему прибора. Объем для биполярных структур определяется щириной области объемного заряда, площадью р-я-переходов и диффузионной длиной пробега неосновных носите­ лей по обе стороны переходов. Поэтому минимизация размеров по­ лупроводниковых приборов повыщает их устойчивость к ИИ. Величина фототока зависит только от скорости гюглощения энергии за счет электронных процессов и не зависит от типа и спектра ИИ. После окончания ИИ фототок уменьшается до нуля в соответствии со вре.менем жизни неосновных носителей заряда. Структурные нарушения обусловлены взаимодействием ИИ с кристаллической решеткой полупроводника. Степень структурных нарушени11 зависит от вида и энергии частиц, ПДИ. Известно, что даже незначительные дефекты структуры кристаллической решет­ ки вызывают существенное изменение параметров полупроводни­ ковых материалов: подвижности, эффективной концентрации, вре­ мени жизни носителей заряда. Поэтому следствием структурных нарушенш! являются необратимые дефекты полупроводниковых приборов. В диодах основными радиационными эффектами являются фототоки, которые на один-два порядка больше рабочих токов, из­ менение сопротивления полупроводника и времени жизни носите­ лей заряда. Германиевые диоды. Нейтронное излучение при ПИЧ по­ рядка Ю" нейтр./см" вызывает заметное изменение вольт-ампер- ных характеристик: проводимость диодов в прямом направлении уменьшается, а в обратном - увеличивается. Полный отказ наблю­ дается при ПИЧ более Ю'^ нейтр./см". При воздействии фотонных 434