Основы проектирования электронных средств

HeiirpoHOB ПИЧ lO''' пейтр./см" или у-излучения ПДИ Ю* рад при­ водит к снижению влагостойкости, возрастанию уровня соб­ ственных шумов в два раза, изменению номинального омического сопротивления г„„„ до 10%. Причиной перечисленных необратимых радиационных дефектов является нарушение структуры органиче­ ских материалов, использованных в качестве связующих в прово­ дящей композиции. Тонкопленочные интегральные резисторы способны выдер­ живать потоки быстрых нейтронов ПИЧ более Ю'" не11тр./см' без существенных изменений величины сопротивления и параметров надежности. Наибольшей стойкостью к ИИ обладают танталовые, никелевые, нихромовые тонкопленочные резисторы, покрытые пассивирующей защитной пленкой. Конденсаторы. Воздействие ИИ сказывается на раз.тичных параметрах конденсаторов: сопротивлении изоляции, угле диэлек­ трических потерь, номинальной емкости. Причинами этих измене- ний являются преобразования в структуре диэлектрика, механиче­ ские деформации, иошпация диэлектрика и окружающей среды, выделение газов из диэлектрика. Рентгеновское и у-излучение вызывают в основном обрати­ мые радиационные дефекты. При облучении нейтронами возмож­ ны как обратимые, так и необратимые радиационные дефекты. Наибольшей стойкостью к ИИ обладают конденсаторы с неор­ ганическим диэлектриком: керамические, стеклоэмалевые, слюдя­ ные. Изменение их параметров при облучении нейтронами ПИЧ до 1 0 " нейтр./см" и воздействии у-излучения ПДП до Ю' рад не превышает долей или единиц процентов. Менее чем через два часа после окончания облучения параметры керамических, стсклоэмале- вых и слюдяных конденсаторов восстанавливаются до исходных. Конденсаторы с органическим диэлектриком (бумажные, по­ листироловые, лавсановые, триацетатные, фторпластовые) облада­ ют пониженной устойчивостью к ИИ. При облучении таких кон­ денсаторов резко падает в 1 0 - 2 0 раз увеличивается tg 8, из­ менения Сном составляют единицы или десятки процентов. Общая причина этих изменений - разложение полимерных материалов. Лишь через время 200 - 300 ч после облучения параметры таких конденсаторов восстанавливаются до допустимых пределов. 433