Основы проектирования электронных средств

Сравнительная характеристика методов приведена в табл. 5.25. Таблица 5.25 Сравнительные характеристики разрешения рисунка при использовании различных схем процессов Обозначение схем процессов Тентинг- метод КПМ КПМ+ПМ ПА ПА+ДТ Лазер+ +ДТ Минималь­ ные разме­ ры: провод­ ник/зазор, мм 0,15... ...02/0,2 0,12... ...015 0.15 0,10... ...0,12/0,10 0,07/0,07 0,05/0,05 0,03/0,04 Химическое по1ггравливание Есть Есть Есть Незначи­ тельно Незна­ чительно Незна­ чительно Элеюрохими- ческое подтрав- ливание Нет Есть Есть Есть Нет Нет Примечание: КПМ - комбинированный позитивный метод. ПМ - прямая металлиза­ ция. ПА - полуая1итивный метод, ДТ - дифференциальное травление Следующее новшество - встраивание пассивных компонентов при изготовлении печатных плат резисторов, конденсаторов, ин- дуктивностей, что дает значительную экономию в сборочно- монтажных процессах, а также создание МПП с послойным нара­ щиванием межслойных переходов. Это позволяет многократно увели­ чить плотность межсоединений в МПП, как показано на рис, 5.102. В технологии изготовления высокоточных печатных плат многое определяется процессами создания защитного рисунка. В настоящее время в дополнение к традиционным методам экспонирования через фотошаблон фоторезиста добавились два новых направления: прямое лазерное формирование рисунка на фоторезисте и нанесение фоторезиста с использованием план­ шетного струйного принтера. Лазерное формирование рису нка на фоторезисте (Laser Direct Imaging, LDI) - начинающая распространяться альтернатива тради­ ционной фотолитографии. 367