Основы проектирования электронных средств

5) После полимеризации компаунда подложка с кристаллами помещается в ус1ановку нанесения париленового (полипара- ксиленового) покрытия, где при температуре 28 °С на поверхности подложки и ;1ицевых сторонах кристаллов происходит формирова­ ние диэлектрического слоя - париленовой пленки. 6) Через металлические маски в слое парилена ионно- химическим травлением вскрываются окна над контактными пло­ щадками ИС. Одновременно происходит очистка контактных пло­ щадок перед напылением проводников; 7) В установках вакуумного напыления через свободные техно­ логические маски производится напыление проводников Ti - Си ~ Ni. Указанные операции осаждения слоя парилена, вскры1ия окон, ваку­ умной металлизации могуг повторяться необходимое количество раз для формирования нужного количества слоев (до 30 слоев), причем переходы со слоя на слой производятся с помощью отверс1ий, диа­ метр которых не превышает ширину проводника. 8) Пассивные эле.менты функционального электронного бло­ ка припаиваются к печатной плате традиционными способами, как элементы поверхностного или штырькового .монтажа. 9) Окончательная электро- и влагозащита обеспечивается внешним париленовым покрытием. Приведенная технология применима как при корпусировании ИС, так и при непосредственно.м монтаже кристаллов внутри функционального электронного блока. Тепловая разгрузка кристаллов смонтированных приведен­ ным способом, обеспечивается как напылением слоя металла на заднюю поверхность кристалла и подложки в целом, так и напыле­ нием слоя металла на тонкий слой диэлектрика с лицевой стороны кристалла и печатной платы. Кроме того, плата с кристаллами может быть плотно присое­ динена к дополнительным теплоотводящим основания.м - радиато­ рам. На поверхности теплоотвода могут быть сформированы до­ полнительные слои коммутации с использованием полимидных пленок с вакуумной металлизацией. Для реализации .метода необходимы в основном два вида оборудования: установки вакуумного напыления и установки ион­ ного 1 равления. 364