Основы проектирования электронных средств

технологий сборочно-монтажного производства, дальнейшего со вершенствования технологического обеспечения надежности. Со временные требования к электронным приборам и оборудовани заставляют все эти процессы идти со всевозрастающей скоростью. Число выводов подчиняегся общей тенденщ1И их увеличения увеличением интеграции микросхем: Л ' =q h f , I де « - количество выводов; q - коэффициент связности микроэлеме '10B в структуре микросхемы; N - степень интеграции микросхемы R - показатель Рента. Степень интеграции применяемой элементной базы будет сохранять постоянную устойчивую тенденцию к увеличению. В ближайшее время, как показывают данные табл. 5.23, следуе ожидать появления микросхем памяти с емкостью 16-256 Гбит, мик ропроцессоров с чиcJюм транзисторов в кристалле 0,2-1,5 м-трд. Таблица 5.23 Прогноз развития микроэлектрониых технологий Характеристика олы микроэлектронной техн0;10гии 1999 2001 2003 2006 2009 2012 Минимальный гонологический размер, нм 180 150 130 100 70 50 Емкость ДЗУПВ, бит 1 Г 1...4Г 4 Г 16 Г 64 Г 256 Г МП, транз./кристалл 21 М 40 М 76 М 200 М 500 М 1400М Размер кристалла ДЗУПВ, мм" 400 450 560 790 1120 1560 Размер криста.ъта МП, млГ 340 380 430 520 620 750 Размер кристалла СпИС, мм' 800 850 900 1000 1100 1300 Примечание: МП - микропроцессор; ДЗУПВ - динамическое запоминающее устройство произволыи)»! выборкой; СпИС - специализированная интегральная схема Поэтому вопросы поиска новых решений для корпусирова- ния столь сложных устройств имеют офомное значение. Требуется кардинхтьное изменение подхода к созданию элек тронной аппаратуры, которая должна одновременно обеспечивать вы сокое быстродействие, расширенный динамический диапазон, отно сительно малое энергопотребление, высокую чувствительность, по вышенную стойкость к воздействию внешних факторов. 3 5 8