Основы проектирования электронных средств

5.7. Перспективы развития конструкций и технологий ЭС Успехи развития электронных средств во многом формиру­ ются на микроэлектронном уровне. В течение продолжительного времени существует устойчивая тенденция ежегодного удвоения числа транзисторов на кристалле, что становится возможным благодаря постоянному снижению минимальных тогтологических размеров (рис. 5.97) [51]. размер, мкм Мировой уровень д 10 программа минобоороны Р0ССИ1 КЦП "Интеграция- • КЦП "Военная наноэлектроника-2010" 1995 1997 1999 2000 2001 2003 2005 2010 2015 2020 Рис. 5.97. Перспективы развития электроники Как следует из рисунка, Россия в настоящее время значи­ тельно отстает по уровню технологий от больщинства стран. В то же время развитие целевых программ «Военная нано- электроника - 2010», «Интеграция-СВТнано» позволит в перспек­ тиве приблизиться к мировому уровню. Постоянное совершенствование микроэлектронной техноло­ гии, рост степени интеграции микросхем, увеличение функцио­ нальной насыщенности электронной аппаратуры и повышение производительности вычислительных процессов требуют по­ стоянного роста плотности печатного монтажа, освоения новых 357