Основы проектирования электронных средств

Метод ПАФОС (получение аддитивным формированем слоев). При изготовлении ПП с шириной проводников и зазоров 50-100 мкм и толщиной проводников 30-^50 мкм используют метод ПАФОС (рис. 5.54). Это электрохимический метод, по которому проводники и изоляция между ними формируются аддитивно, т.е. селективным гальваническим осаждением проводников и форми­ рованием изоляции прессованием только в необходимых местах. Метод ПАФОС (как и аддитивный метод) принципиально отлича­ ется от субтрактивного тем, что металл проводников наносится, а не вытравливаегся. i 0< м<;ци •ш поверлнскть HOi.Hfff' » НичР' • !,«• * ^ 1 » » » Рис. 5.54. Технологическая схема изготовления слоев методом ПАФОС Проводящий рисунок формируется гальваническим осажде­ нием тонкого слоя никеля толщиной 2^3 мкм и меди толщиной 30-50 мкм в окнах пленочного фоторезистора на верхнюю поверх­ ность листа из нержавеющей стали. Вся поверхность листа предва­ рительно покрывается тонким слоем меди толщиной 2н-20 мкм, ко­ торый может быть получен электрохимическими осаждением, маг- нетронным распылением, ионно-плазменным осаждением, химиче­ ским осаждением. В защитном рельефе пленочного фоторезиста на верхнюю поверхность сформированных проводников производится 270 9 Пре<.-,ононие покего •'J фС.ТОр*:ЗиС' ПОДЛ1 8 НоЬор по«1'го I poenei СП