Основы проектирования электронных средств

в частности, сверлением отверстий в плате с таким шагом. Выход был найден в переходе на новый метод монтажа без сверления от­ верстий - к технологии монтажа на поверхность (ТМП). К этому времени уже были разработаны и освоены некоторые компоненты (резисторы, конденсаторы), которые использовались при изготовле­ нии ГИС и МСБ. Однако ТМП ужесточила требования по устойчи­ вости к воздействию климатических факторов, поскольку чип- резисторы и конденсаторы для ГИС и МСБ изготавливались в неза­ щищённом исполнении для применения внутри корпусов ГИС. В настоящее время разработана достаточно обширная но­ менклатура компонентов для ТМП. включающая резисторы, кон­ денсаторы (в том числе переменные), катушки индуктивности, микротрансформаторы, реле, кварцевые резонаторы, микропере­ ключатели, диоды, транзисторы, микросхемы. Данные компоненты имеют несколько разновидностей корпусов: безвыводные с облу- женными торцами, с укороченными выводами типа крыла чайки или J-образными, цилиндрические корпуса с металлизированными торцами. Рассмотрим эти корпуса подробнее. Чип-корпус - безвыводный корпус прямоугольной формы для простых пассивных ко\шонентов типа резисторов и конденсаторов (рис. 5.4). Чип-резисторы и чип-конденсаторы изготавливаются по групповой технологии на подложках большого размера (обычно 60х4К мм), затем после скрайбирования подложка разламывается на отдельные части (английское слово chip означает осколок). После разламывания на торцы чип-компонента наносится много­ слойная металлизация (толстопленочный проводник - барьерный слой никеля - слой припоя) с трех или пяти сторон для каждого торца (последний вариант применяется для высоконадежных ком­ понентов). Тело резистора защищается покрытием из боросили- катного стекла с нанесением несмываемой кодовой маркировки номинала. Маркировка состоит из трёх цифр для простых и четырёх цифр Х1Я высокоточных резисторов, причём последняя цифра означает коли­ чество нулей, которые необходимо дописать справа к номиналу в омах. Например: 1 6 0 - 1 6 0м , 472-4,7 кОм, 112- 1,1 кОм. 106- 10 МОм. 2741 - 2,74 кОм. Маркировка низкоомных ретисторов содержи г букву «R», например: 4R7 - 4,7 Ом, 54R9 - 54,9 Ом. 195