Оптические материалы и технологии

положены катод, анод, поворотный экран и нагреватель подложек. Из полости вакуумной камеры откачивают воздух до давления ос­ таточных газов 6,6-10-' Па и нагнетают в полость камеры инерт­ ный газ - аргон до давления 0,13 Па. При разности потенциалов катода и анода 3 - 5 кВ получают плазму. Подложки предваритель­ но нагревают до температуры 300°С. Размеры катода больше раз­ меров подложек на 10 - 20%. К недостаткам процессареактивного катодного распыления мож­ но отнести трудность изготовления катода большого размера из хи­ мически чистого тугоплавкого пленкообразующего вещества, а так­ же затрудненного контроля толщины в процессе нанесения пленок. 2.2. Термическое испарение вещества в вакууме Термическое испарение пленкообразующего вещества проис­ ходит при нагревании его до температуры расплавления и в усло­ виях высокого вакуума. В этом случае молекулы вещества распрос­ траняются прямолинейно, так как они не испытывают сопротивле­ ния остаточных газов, далее, попадая на поверхность подложек (деталей), конденсируются, образуя пленку. Расстояние от испаряе­ мого вещества до подложек в вакуумных установках должно быть меньше средней длины свободного пути. Средняя длина свободного пути - это расстояние, которое молекула распыленного вещества проходит до столкновения с молекулами остаточных газов. Оборудование для термического испарения представляет со­ бой вакуумную установку, состоящую из камеры, закрытой от ок­ ружающей среды подъемным металлическим колпаком, рабочей плиты, системы для создания вакуума, устройства для крепления напыляемых подложек (деталей) и их вращения, испарителей, ил­ люминатора для наблюдения за ходом процесса напыления, пульта управления работой отдельных узлов и агрегатов установки. 2.3. Электронно-лучевое испарение вещества в вакуу!ме Если сфокусированным мощным пучком ускоренных электро­ нов воздействовать на поверхность пленкообразующего вещества, 400