Оптические материалы и технологии

S = cos ^2 к^п{к-х)- P - бегущая волна в слое, описываемая как: 1 л Aax(h-x) -koxih-x) V ikt,n(.h-x)-iA/2 (3.19) Здесь Г2 и Гг - амплитудные коэффициенты отражения и пропускания на задней границе слоя; H-i% - комплексный показатель преломления материала слоя; h - толщина слоя; А:о- волновой вектор в слое. Приведенное выражение позволяет определять распределение поля или интенсивности излучения, «запасаемой» в системе, что и обеспечивает ее работоспо- Л Н 0 § 1 0.4 S 0,2 1,2-] 1.0 0,8 0,6 0.0 о 5 10 15 Сечение по слоям собность. Следует отметить, что именно это «запасание» энергии в системе и опреде­ ляет ее основные оптические свойства (отражение и про­ пускание излучения). В каче­ стве примера на рис. 3.2 при­ водится распределение ин- 20 тенсивности в слоях много­ слойного диэлектрического зеркала для длины волны, соответствующей макси­ мальному отражению. Из данного рисунка видно, что максимальная интенсивность запасенной энергии локализована в слоях, близких к отражающей поверхности, и экспоненциально спадает вглубь зеркала. При кон­ струировании многослойных интерференционных систем различ­ ного назначения важную роль играют системы с периодической структурой, характеризующейся тем, что комбинация нескольких слоев повторяется т раз. Рассмотрим матрицу интерференции пе­ риодической системы, представляющей собой мультислой, повто­ ренный т раз. Если матрица этого мультислоя имеет вид: Рис. 3.2. Распределение интенсивности стоячей волны в слоях диэлектрического зеркала 324