Xl Туполевские чтения : всероссийская (с международным участием) молодежная научная конференция. Казань, 8-10 октября 2003 г., тезисы докладов. Т. 3

Модель резонансных эффектов в печатной плате М.Ф. Сафиуллин Научный руководитель; С.Ф. Чермошенцев, к.т.н., профессор Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева Постоянное увеличение быстродействия и степени интеграции эле­ ментной базы, а в следствие уменьшение уровней сигналов электронных систем, и рост числа мощных источников электромагнитного поля, порож­ дает новую проблему электромагнитной совместимости - зашита (преду­ преждение) от электромагнитных резонансов в печатной плате. Цель работы - разработать модель для анализа резонансных эффектов в печатной плате при воздействии источника внешнего электромагнитного поля. В качестве объекта исследования была выбрана печатная плата с ор­ тогональным размещением проводников. Ширина проводников выбирает­ ся произвольно. Проводники нагружаются на концах резисторами 50 Ом. Решение данной задачи осуществляется на основе решения уравнений Максвелла методом конечных разностей во временной области. По результатам моделирования можно сделать следующие выводы: резонансные частоты идут пакетом, то есть, зная одну резонансную часто­ ту можно прогнозировать появление других с хорошей долей вероятности, резонансные частоты однозначно зависят от геометрии и топологии про­ водников. Рекомендации полученные в данной работе позволят точнее учиты­ вать внешнюю электромагнитную обстановку для надежной работы элек­ тронных систем, а также разработать новые критерии трассировки печат­ ных плат. Моделирование защитных структур интегральных схем от воздействия электростатического разряда В.В. Софронова Научные руководители: С.Ф. Чермошенцев, к.т.н., профессор; З.М. Гизатуллин, ассистент Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева Рассмотрена проблема воздействия электростатического разряда (ЭСР) на полупроводниковые изделия в процессе их производства, хранения, транспортировки и эксплуатации. 10F