Xl Туполевские чтения : всероссийская (с международным участием) молодежная научная конференция. Казань, 8-10 октября 2003 г., тезисы докладов. Т. 3

в настоящее время она обострилась в связи с развитием субмикронной технологии и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика у МДП- транзисторов интегральных схем (ИС). Среди разнообразия методов защи­ ты ИС от ЭСР распространения нашел так называемый метод встроенной зашиты, т.е. защиты с помощью схем из дополнительных элементов, встро­ енных непосредственно в ИС. Цель работы провести анализ работы встроенных защитных структур ИС от электростатического разряда с применением моделирования на про­ граммном комплексе ПА9. В работе представлены мероприятия по снижению влияния ЭСР. Под влиянием ЭСР ИС и другие полупроводниковые элементы могут получить повреждения или неудовлетворительно выполнять свои функции (ложное срабатывание и т. д.) поэтому применяют индивидуальные конструктивные меры защиты. На предприятиях, изготавливающих полупроводниковые изделия, про­ водятся работы по созданию защиты технологическими способами, разме­ шенными на общей подложке со схемой прибора и выполняются на едином технологическом цикле с микросхемой. В данной работе представлены семь типов защитных схем отечествен­ ных серийных МДП ИС. В качестве инструмента разработки моделей и проведения моделирова­ ния используем профаммный комплекс ПА9. Для моделирования были разработаны: модель источника; модель КМОП элемента. Далее выбираются параметры источника ЭСР, строится общая схема моделирования куда встроена одна из семи защитных схем, на вход подает­ ся напряжение 3000 В. После наблюдается результат прохождения воздействующей помехи через защитную структуру. Так после перебора нескольких вариантов за­ щитных структур делается вывод о том какая из схем лучше. По результатам работы можно отметить: различные схемы зашиты МДП-структур имеют различную эффективность; эффективность работы защитных структур сильно зависит от типа воздействующей модели; вели­ чина проходящего воздействия сильно зависит от сопротивления перехода применяемых в защитных схемах диодов. 109