Силовая электроника

в структуре транзистора с утопленным каналом (Рис.46) исключено сопротивление между р-базами. Такая структура также позволяет уменьшить размеры в 5-20 раз . В IGBT в отличии от обычного биполярного транзистора инжекция носителей в базу осуществляется не р-п переходом, а полевым транзистором. Процесс включения можно разделить на два этапа: при подаче положительного напряжения между затвором и истоком происходит открытие полевого транзистора (формируется п- канал). Движение зарядов из области п в приводит к открытию биполярного транзистора. Конструкция и особенности функционирования IGBT приводят к следующим важным свойствам: - База, как конструктивный элемент, через которую осуществляется пролет носителей, как таковой отсутствует; - Эмиттер имеет площадь сравнимую с площадью коллектора; - Эмиттер и коллектор могут быть разнесены на большое расстояние, что в совокупности с малым легированием позволяет достичь больших пробивных напряжений; - Приборы этого типа не могут достичь частотных характеристик как полевых, так и классических биполярных транзисторов (в силу предыдущей позиции). Исходя из этого, IGBT имеют преимущества тем большие, чем больше коммутируемые напряжения и ток. 14