Силовая электроника

На рис.5 показано, каким образом IGBT реализован в объеме полупроводникового кристалла. В структуре IGBT биполярный транзистор р-п-р типа представлен слоями р (эмиттер), п (база), р^ - коллектор. МОП-транзистор (низковольтный с индуцированным каналом МОП-транзистор и высоковольтный п-канальный полевой транзистор) образован слоями п (исток), (сток) и изолированным затвором. К Рис.5 Эквивалентная схема IGBT и ее упрощенный вариант приведены на рис.6а и 66 соответственно. Э 3 п-канал T L n n i n i n J pnp ^ n_ + p