Силовая электроника

р 1 1 р п р р^ с Рис..З Технологии COOL MOS ™ позволили получить МОП транзистор с л удельным сопротивлением 3 Ом\мм . Это расширяет область применения этого класса до напряжений 600-1000 В и мощностей до 10 кВт. Развитие и объединение положительных качеств биполярных транзисторов и управляющих свойств МОП структуры реализуется в Биполярном транзисторе с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor- IGBT). 2.3. Биполярный транзистор с изолированным затвором Биполярный транзистор с изолированным затвором или Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) был получен в развитии МОП технологии. Преследовалась цель, используя все преимущества МОП-транзистора, достичь снижения сопротивления в открытом состоянии. В результате 1GBT пробрел структуру сочетающую в себе управляющий МОП-транзистор и силовой биполярный транзистор. Структура 1GBT в разрезе показана на рис.4 Здесь рис.4а представляет базовую структуру обычного 1GBT, а на рис. 46 дана структура 1GBT с утопленным каналом полученного по Trench-gate технологии. Э 3 Э 3