Силовая электроника

-беспроблемное параллельное включение, что позволяет получить требуемые предельные мощности коммутации. Эти свойства значительно упрощают схемы ключа, способствуют унификации схемотехнических решений, обеспечивает стыковку с логическими схемами цифрового управления и более полному использованию интегральных технологий. Основным недостатком МОП транзисторов является относительно высокое сопротивление канала при повышенных напряжениях коммутации. Выше 500- 600В такие потери становятся недопустимо высокими. Соответственно на средних и больших мощностях МОП транзисторы характеризуются повышенными потерями напряжения и мощности во включенном состоянии. Высоковольтных МОП-транзисторов с достаточно хорошими характеристиками пока нет, так как сопротивление открытого МОП - транзистора растет пропорционально квадрату пробивного напряжения. Кристаллы высоковольтных МОП-транзисторов имеют большую площадь (и соответственно большую стоимость) чем у биполярных транзисторов. Обладая при низких напряжениях коммутации малыми статическими и низкими динамическими потерями, кратными небольшому времени переключения, позволяет им работать на частотах до 100 кГц. Благодаря этому МДП-транзисторы вытесняют из низковольтной преобразовательной аппаратуры (менее 200 В) все остальные типы полупроводниковых приборов. Повые технологии, в их числе Trech-gate Technology ("углубленный, утопленный затвор") позволяют, снизить сопротивление открытого транзистора л ДО 0,01 мкОм \м таким образом уменьшить один их основных недостатков МОП - транзистора. Па рис.3 показана структура МОП -транзистора с утопленным затвором (Trech-gate Technology). Увеличение площади истока и рабочей области канала благодаря углублению затвора позволяет уменьшить сопротивление транзистора и габариты кристалла в сравнении с традиционной структурой МОП- транзистора. 11