Силовая электроника

MOSFET ( Metal-Oxid-Semiconductor Field Effect Transistor) принадлежит к классу полевых (униполярных) транзисторов. Его основу составляет полупроводниковая структура металл-окисел-полупроводник (MOF[). Канал такого транзистора может быть встроенным (т.е. созданным физически при изготовлении транзистора) или индуцированным (т.е. наведенным в процессе работы при соответствующей поляризации транзистора). В ключевых транзисторах как правило используется именно эта структура. На рис.2 схематично показана базовая структура п- канального силового MOFi-транзистора с индуцированным каналом. и 3 1 с 1 1 п р" Рис.2 Благодаря изоляции управляющего электрода (затвора) MOF[ транзистор обладает высоким входным сопротивлением и поэтому работает практически без токов управления. МДГГ транзисторы свободны от многих недостатков биполярных транзисторов и имеют перед ними следующие преимущества: - ничтожно малые мощности управления благодаря высокому входному сопротивлению; - устойчивость к вторичному пробою и отсюда высокая стойкость к перегрузкам (практически прямоугольная область безопасной работы); - отсутствие процессов накопления и рассасывания зарядов, что способствует повышению предельных частот коммутации и снижает динамические потери - отсутствие необходимых для запирания смещений; 10