Силовая электроника

По быстродействию IGBT уступают МОП-транзисторам, но превосходят биполярные. Па напряжениях 600-1200 в IGBT имеет падение напряжения во влюченном состоянии такое же, как и биполярные транзисторы (порядка 1,5- 3,5 В). Это значительно меньше, чем у МОП транзисторов с теми же номиналами. По при низких рабочих напряжениях (до 200 В) падение напряжения у МОП- транзисторов меньше. Область безопасной работы IGBT обеспечивает их надежную работу на частотах 10-20 кГц без дополнительных цепей формирования траектории переключения. У IGBT как и у MOSFET практически отсутствуют токи управления. Они как и MOSFET имеют хорошие динамические характеристики. Причем потери в них растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у MOSFET. Максимальное напряжение IGBT ограничено только технологическим пробоем. Также как МОП-транзисторы вытеснили биполярные в ключевых источниках питания с напряжением 500 В, так и IGBT вытеснят их в источниках с более высоким напряжением ( до 3500 В). Основным недостатком IGBT пока остаются динамические потери, что снижает допустимый ток коллектора на частотах выше 10 кГц. 2.3 Тиристоры Термин тиристор - Thyristor (от греческого thira - вход, дверь) объединяет большую и многообразную группу полупроводниковых приборов. Обш,им для всех из них является базовая четырехслойная полупроводниковая структура р-п-р-п образующая два электронно-дырочных перехода. Из основных и наиболее используемых в силовой электронике приборов в эту группу входят: триодный тиристор (SRT), запираемый тиристор (GTO) и др. 15