Процессы изготовления тонкостенных деталей пластическим деформированием

Н.М. БОДУНОВ, В.И. ХАЛИУЛИН, А.В. СОСОВ, А.А. РАЗДАЙБЕДИН Процессы изготовления тонкостенных деталей пластическим деформированием 56 цинка по всему сечению составляет около 3500 МПа, тогда, как экспери- ментальные составляют около 1,0 МПа). Разница объясняется тем, что про- цесс скольжения осуществляется не одновременным смещением всех ато- мов в одной кристаллографической плоскости относительно друг друга, а их последовательным смещением. Это возможно, если есть дефекты в кри- сталлической решетке (так называемые дислокации), вызывающие нару- шение правильного расположения атомов. Различают краевую (рис. 2.5, а ) и винтовую (рис. 2.5, б ) дислокации. а б Рис. 2.5. Схема дислокации: а – краевой (смещение центра дислокации из положения « а » в положение « b »); б – винтовой Под краевой дислокацией понимается искажение решетки кристалла, связанное с возникновением дополнительной полуплоскости атомов. Сдвиг в кристалле происходит за счет движения дислокации по плоскости скольжения. С этой точки зрения можно объяснить низкое значение кри- тического сдвигающего напряжения, так как сила, требующаяся для смещения дислокации из одного положения в другое, т.е. чтобы сдвинуть дополнительную атомную полуплоскость на одно междуатомное расстояние в направлении скольжения, намного меньше силы, необходи- мой для сдвига относительно друг друга двух жестких частей монокри- сталла. Упрочнение монокристалла. С увеличением пластической деформа- ции сдвигающее касательное напряжение растет, т.е. повышается сопро- тивление скольжению. Существует ряд гипотез упрочнения:  при скольжении сглаживаются структурные неоднородности, что увеличивает сопротивление скольжению;  при скольжении искажается решетка, плоскости упруго изгиба- ются, что вызывает упрочнение (гипотеза С.И. Губкина);