Электроника

86 ния является рабочей, если транзистор используется для усиления сигналов. Передаточная характеристика МОП-транзистора с индуцирован- ным каналом для области насыщения аппроксимируется выражением: I с = 0,5 b ( U зи – U 0 ) 2 или   c зи 0 0 2 T I U U C W L     , (4.4) где b – удельная крутизна характеристики МОП-транзистора. Как и для биполярных транзисторов, различают модели режи- ма большого и малого сигналов. Рассмотрим их отдельно. Модели ПТ в режиме больших сигналов (квадратичная мо- дель). В режиме большого сигнала необходимо учитывать нелиней- ный характер передаточной ВАХ. Нелинейная модель МОП-транзи- стора для режима насыщения показана на рис. 4.3, б . Модель назы- вается квадратичной, так как ток стока пропорционален квадрату U зи . Модель ПТ в режиме малых сигналов (линейная модель) . Счи- таем, что транзистор работает в режиме насыщения. При малом пере- менном входном сигнале e m вх , пренебрегая нелинейным характером передаточной ВАХ, получим, что переменная составляющая тока сто- ка равна I c = S  e m вх , (4.5) где S = b ( E зи – U 0 ) – крутизна ПТ для переменного сигнала. Уравнению (4.5) соответствует линейная модель ПТ. Простей- шая линейная модель ПТ для переменной составляющей показана на рис. 4.3, в . 4.2.2. Режимы работы и уравнения транзистора с управляющим p-n-переходом 1. Режим отсечки: U зи < U o , I c = 0. 2. Линейный режим: U зи > U 0 , U си < U нас < U зи – U 0 . Выходная ВАХ в линейном режиме аппроксимируется выраже- нием 2 си зи си c с нас отс отс отс 2 1 U U U I I U U U                        .