Электроника

85 Здесь b – удельная крутизна МОП-транзистора: B = µC 0 W / L , (4.2) где µ – приповерхностная подвижность носителей; C 0 – удельная емкость затвор-канал; L – длина; W – ширина канала. При малом напряжении сток-исток квадратичным слагаемым в выражении (4.1) можно пренебречь. Получаем линейную зависи- мость: I с = b ( U зи – U 0 ) U си . Величину b (( U зи – U 0 ) называют проводимостью канала, а об- ратную величину – сопротивлением канала: R си = ( b ( U зи – U 0 )) -1 . (4.3) Таким образом, при малых напряжениях сток-истокМОП-тран- зистор эквивалентен линейному резистору, сопротивление которого регулируется напряжением затвора. Сопротивление эквивалентного резистора может изменяться от десятков Ом до десятков МОм. Если U зи < U 0 , сопротивление бесконечно. С увеличением U зи сопротивление уменьшается (рис. 4.4). Рис. 4.4. Зависимость сопротивления стока транзистора от приложенного напряжения Области отсечки и линейная используются при работе полево- го транзистора в режиме ключа; 3) режим насыщения МОП-транзистора с индуцированным ка- налом возникает, когда U зи > U 0 . Тогда: U си > U нас = U зи – U 0 . В области насыщения ток стока практически не зависит от напряжения U си и транзистор эквивалентен источнику тока, управ- ляемому напряжением затвор-исток (рис. 4.3, б ). Область насыще-