Электроника

210 Задача 8.4 . Путем аналитических расчетов построить переда- точную характеристику ключа на биполярном транзисторе (рис. 8.8, а ) при R н =  и 2 кОм. Параметры элементов схемы: R б = 10 кОм; R к = 1 кОм; Е к = 5 В;  = 50; U бэ пор = 0,7 В; U кэ = U кэ нас  0,2 В; I к0 = 0,1 мкА. Рис. 8.8. Схема к задаче 8.4: а – ключ на транзисторе; б – передаточная характеристика ключа a б Решение. Вид переходной характеристики известен, необходимо опреде- лить ее основные параметры. 1. Рассмотрим работу транзистора (режим отсечки и насыще- ния) при R н =  . Найдем ( U 0 пор и U 1 вых ) из условия режима отсечки транзистор: U вх = U 0 вх < U 0 пор = – I к0 R Б + U бэ пор = –10 -7  10 3 + 0,7 B  0,7 B. При этом I к = I к0 = 10 -7 А, а напряжение на выходе U 1 вых = Е п – I к0 R к  5 В. Найдем ( U 1 пор и U 0 вых ) из условия состояния насыщения тран- зистора. Напряжение насыщения по заданию U кэ = U 0 = U кэ нас  0,2 В. Ток коллектора насыщения: I к нас = ( Е к – U кэ нас )/ R к = (5 – 0,2)/1 = = 4,8 мА. Ток базы насыщения: I б нас = I к нас /  = 4,8/50 = 0,096 мА. Пороговое напряжение логической единицы ( U 1 пор ) на входе: U 1 пор = S I бН R б + U бэ пор = 10  0,096 + 0,7 = 1,66 В. Итак, получаем: U 0 вх = 0,7 В; U вых = U 1  5 В; U 1 вх = 1,66 В; U вых = U 0  0,2 В. U вых U вх R н E к R б U вх R к 5 0,2 0,7 1,66