Электроника

209 Расчет схемы сводится к определению сопротивлений резис- торов R к и R б . Найдем R к . Известно, что в режиме насыщения I кн = I пр ном = 10 мА. Для коллекторной цепи можно записать: Е к = U кэнас + I кн R к + U пр ном , отсюда R к = (5 – 1 – 1)/10 -2 = 300 Ом. Найдем R б из условия запирания транзистора: U 0 вх < – I к0 R б + U бэ пор , откуда R б < ( U бэ пор – U 0 вх )/ I к0 = (0,7 – 0,5)/10 -5 = 20 кОм. Найдем R б из условия насыщения транзистора. Ток базы насы- щения равен: I бн = I кн /в, отсюда I бн = . 10/100 = 0,1 мА, тогда I 1 б = . S . I бн = 0,3 мА. Запишем условие насыщения и найдем R б : ( U 1 вх – U бэ пор )/ R б > SI бн , отсюда R б < ( U 1 вх – U бэ пор )/ I бн = (4,0 – 0,7)/10 -4 = 33 кОм. Очевидно, условие насыщения более жесткое, следовательно, из ряда номинальных сопротивлений выберем R б =20 кОм. Очевидно, источник сигнала не перегружен, так как I 1 б = 0,3 мА< < 0,8 мА = I 1 ист . Рис. 8.7. Ключ на транзисторе для включения и выключения диода