Электроника

202 Напряжение на входе ключа U 1 вх , при котором транзистор насы- щен, находим из схемы и условия насыщения ключа ( I б = SI бн ): ( U 1 вх – U бэ пор ) /( R б ) = SЕ к /(В R к ), (8.5) отсюда получаем: U 1 вх = S Е к R б /(В R к ) + U бэ пор . (8.6) Обычно U 1 вх >> U бэ пор и потому U 1 вх = SЕ к R б /(В R к ). 8.3. Передаточная (амплитудная) характеристика транзисторного ключа Передаточная (амплитудная) характеристика электронного клю- ча это зависимость U вых = U к = F ( U вх ) (рис. 8.4), наиболее полно ха- рактеризующая статические параметры ключа. На ней можно выде- лить три характерных участка, которые разграничены точками, со- ответствующими входному пороговому напряжению нуля U 0 пор и единицы U 1 пор . Рис. 8.4. Передаточная (амплитудная) характеристика транзисторного ключа U вх U 1 к U к U 0 к 1 2 3 U 0 пор U 1 пор