Электроника

201 В состоянии выключено на транзисторе напряжения и токи сле- дующие: • для входной цепи: U бэ < U бэ пор , I б = – I к0 ; • для выходной цепи: I к = I к0 , U кэ выкл = Е к – I К0  R Н  Е к . Сопротивление транзистора в режиме отсечки R отс велико, на- пример, при U кэ выкл = 5 В, а I к0 = 5 мкА, R отс » U кэ выкл / I к0 = 1МОм. 2. Ключ включен, замкнут (точка В ). Транзистор находится в состоянии насыщения, т.е. оба его перехода смещены в прямом на- правлении – режим двойной инжекции. В режиме насыщения через транзистор протекает ток коллек- тора насыщения: I кн = ( Е К – U кэ ост ) / R К  Е К / R К . (8.1) Для перевода транзистора в режим насыщения необходимо уве- личить ток базы ( I б = I 1 б ) и превысить ток базы насыщения: I 1 б = S I бн > I бН = I кн /В = Е к /(В  R к ), (8.2) где I бн – ток базы, соответствующий границе режима насыщения; B = I кн / I бн – коэффициент усиления тока базы в режиме большого сигнала; S = I б / I б нас – степень насыщения. На практике для надежно- го насыщения выбирают 1 < S < 5. В режиме насыщения на транзисторе остается остаточное на- пряжение, его называют напряжением насыщения. Оно состоит из двух составляющих: U кэ нас = U кэ + I кн r кэ наc , (8.3) где U кэ – разность напряжений на переходах; I кн r кэ наc – падение на- пряжения на омическом сопротивлении коллекторной области транзи- стора. Полное остаточное напряжение составляет ( U кэ нас = 0,1…0,4 В):     кэ T 1 ln 1 i i S U S         , (8.4) где B i – инверсный коэффициент передачи тока базы. В состоянии включено напряжения и токи на транзисторе сле- дующие: • для входной цепи: U бэ > U бэ пор , I б > I бн ; • для выходной цепи: I к = I кн , U кэ = Е к ост .