Электроника

154 На рис. 6.4, б приведена схема ГСТ на полевом транзисторе с управляющим переходом. Она удобна тем, что является двухполюс- ником и напряжение U зи формируется за счет автоматического сме- щения U зи = I с R и . В частном случае, при R и = 0 и U зи = 0, I н = I Cmax . Задача 6.4. Рассчитать ГСТ на рис. 6.3, в , обеспечивающий ток коллектора I к = 1 мA. Напряжение источника питания Е к = 15 В, коэффициент усиления тока базы  = 100. Решение. Выберем напряжения коллектора и эмиттера, равными прибли- зительно 1/3 напряжения источника питания (правило одной трети). Напряжение: • базы U б = Е к /3 = 5 В; • эмиттера U э = U б – 0,7 = 4,3 В. Полагая I э = I к = 1 мА, находим сопротивление эмиттерного ре- зистора: э э э э 4,3 4,3 кОм 1 U R I    . Ток делителя напряжения R 1 , R 2 равен 1 э 0,1 0,1 мА I I   . Входное сопротивление делителя к 1 2 1 15 150 кОм 0,1 E R R I     . Поскольку напряжение базы 2 б к 1 2 5 В R U E R R    , сопротивления резисторов должны быть равны: R 1 = 100 кОм; R 2 = 50 кОм. Максимальное значение сопротивления резистора R к , при котором транзистор остается в активном режиме     к к э кэ.нас э – – 15-4,3-0,2 0,1 10,5 кОм R E U U I    .