Электроника

153 где U бэ – падение напряжения на переходе база-эмиттер ( U бэ = 0,7 В), U б = Е к R 2 /( R 1 + R 2 ). Величину тока нагрузки I н можно задавать напря- жением U бэ , изменяя режим работы транзистора с помощью резис- торов R 1 и R 2 . Более точно ток нагрузки ГСТ можно рассчитать, используя схему замещения биполярного транзистора:     б 0 к б э 1 E Е I R R       , (6.6) где 2 б к 1 2 R E E R R   ; 1 2 б 1 2 R R R R R   . Ток ГСТ зависит от температуры окружающей среды. Значи- тельно снизить эту зависимость можно за счет стабилитрона в схе- ме на рис. 6.4, а . Рис. 6.4. ГСТ: а – на биполярном транзисторе с защитой от изменения температуры; б – на полевом транзисторе a б +E к +E n R н R и Т R 0 U н R н I н E 0 VD VТ R 0