Основы проектирования электронных средств

ственно, а на алюминий и его сплавы - на подслой никеля. Покры­ тие этого сплава мягкое, хорошо выдерживает гибку, вытяжку. Серебрение применяют главным образом для повышения элекфопроводностп и улучшения пайки меди и ее сплавов. На стальные детали серебро наносится на подслой меди, для алюми­ ниевых - на подслой никеля и меди. Покрытие обладает высокой коррозийной стойкостью на чистом воздухе и в .морских условиях. Поверхности, покрытые серебром, обладают высокой отражатель­ ной способностью. Золочение применяют для снижения переходного сопротив­ ления контактирующих деталей, а также сохранения постоянных электрических параметров токопроводящих частей изделия. По­ крытие характеризуется высокой химической стойкостью (не окис­ ляется в афессивных средах) и высокой электропроводимостью. Покрытие пападием при.меняется для серебряных, медных и нике.шевых контактных деталей с целью повышения их износо­ устойчивости. Палладий хорошо зашишает серебро от окислений в условиях воздействия сернистых соединений. Покрытие родием применяют для деталей из серебра, .меди, никеля и их сплавов с целью повышения износостойкости контакт­ ных трущихся поверхностей. Лнодизационное окисное покрытие применяют для алюми­ ниевых сплавов с целью защиты от коррозии, придания поверхно­ сти электроизоляционных свойств, декоративной отделки и повы­ шения износостойкости; для магниевых сплавов с целью защиты от коррозии электроизоляционное окисное покрытие выполняют в виде пленки толщиной 15-120 мк.м. Эта пленка имеет высокое электрическое сопротивление, но обладает хрупкостью. В зависи- .мости от марки покрываехюго материала и толщины покрытия применяют пленку с пробивным напряжением 300-700 В. Химическое окиснофлоридное покрытие обладает хорошей электропроводимостью и применяется для декоративной отделки и зашиты от коррозии деталей из алюминия и его сп.тавов в гех случаях, когда поверхность детали должна быть электропроводной. Химическое окиснофлоридное покрытие неэлектропроводно, но не увеличивает затухание энергии в волноводно.м тракте. 446