Основы проектирования электронных средств

НИ плотности монтажа с использованием технолог ии монтажа на поверхность (ТМП) путём уменьшения размеров проводников и переходных отверстий, в использования многоуровневых соедине­ ний в многослойных структурах. Печатные платы реализуют функции системы взаимосвязан­ ных характеристик: монтажных, трассировочных, конструкцион­ ных, электрических, конструктивно-технологических, эксплутапи- онных, надежностных и экономических. Конкретные значения характеристик ПП определяются требованиями к устройствам и технологическим уровнем изго­ товления. Мотивацией увеличения сложности коммутации проводников, используемых для производства радиоэлектрон­ ных устройств, является увеличение функциональной сложности и завершенности узлов на коммутационной плате, увеличение сложности и разнообразия форм электронных компонентов, мон­ тируемых на плате. Наблюдается стремление к минимизации габаритов ПП за счет повышения плотности монтажа компонентов, размешения компонентов на обеих сторонах платы; уменьшения физической и электрической длины линии связи. Во многих применениях имеется потребность в повышении быстродействия линий связи. Это достигается прежде всего уменьше­ нием их длины, уменьшением искажения формы передаваемых сигналов и увеличением распространения сигналов. Для этих целей используется материал с малой диэлектрической постоянной и увели­ чивается плотность проводников и межслойных переходов. Требуемая плотность связей для корпусированных микро­ схем оценивается величиной 60 - 100 см/см", а для микросхем в микрокорпусах - величиной 300 - 500 см/см". Для монтажа кри­ сталлов с шариковыми выводами плотность переходов до-1жна быть не менее 310 шт./см"; для монтажа кристаллов на ленточном носителе (TAB) - 110 шт./см*; для монтажа керамического кор­ пуса с шагом выводов 0,5 мм - 14 шт. см". Монтаж и коммута­ цию связями микросхем в корпусах со средним числом выводов и шагом выводов 0,5 0,625 мм могут обеспечивать ПП с 6-8 слоями сигнальных проводников шириной 125 - 150 мкм. а для мотажа микросхем в микрокорпусах с шагом вьшодов 263