Оптические материалы и технологии

р = су, Н-Л где с =— м Д-зазор между маской и асферизуемой поверхностью; Я-расстояние от источника распыления до асферизуемой по­ верхности. Приведенные коэффициенты ^ и с можно считать постоянны­ ми дггя всех зон маски только в случае, когда источник испарения находится в центре кривизны поверхности, а сама маска имеет сфе­ рическую форму и концентрична с поверхностью детали, В общем же случае, когда маска плоская и источник испарения не совпадает с центром кривизны поверхности, необходимо учитывать перемен­ ные значения этих коэффициентов. Процесс напыления связан с рядом технологических операций по подготовке вакуумной установки, напыляемых заготовок, а так­ же с соблюдением режимов напыления, которые изложены в соот­ ветствующих руководящих материалах. К недостаткам метода относятся ограниченность толщины на­ носимого слоя (15-20 мкм) и связанные с этим ограничения по ве­ личине достижимой асферичности, а также трудность оперативно­ го корректирования профиля получаемых поверхностей с целью по­ вышения их точности. Дальнейшее развитие метода возможно при устранении этих недостатков. 5.5. Технология обработки деталей, сочетающих интерференционную точность с большой асферичностью Рассмотрим метод изготовления оптических деталей с глубо­ кими кольцевыми асферическими поверхностями, определяемыми уравнениями любого порядка с большой (до 15000 мкм) асферич­ ностью и сравнительно высокой (30 - 50 угловых секунд) точнос­ тью, т.е. с показателями, не достижимыми другими принятыми в промышленности методами. Такие детали в основном применяются в оптических системах, предназначенных для приема лучистой энер­ гии и концентрации ее на приемнике. 229