Оптические материалы и технологии

Под действием света серебро вступает в селективное химичес­ кое взаимодействие со слоем AS2S3 с образованием продуктов взаи­ модействия, которые по своим физическим и химическим свойствам отличаются от исходных веществ. Светочувствительность системы к излучению аргонового ла­ зера (к = 488,0 и 514,5 нм) составляет 3-10 Дж/см^. Получают ГДР с дифракционной эффективностью до 60 %и уровнем рассеяния све­ та 5-10-^ на 5 А и МО"^ на расстоянии 10А от центральной линии в диапазоне v = 600 - 3600 мм"'. Система полупроводник-металл, обладая более высокой свето­ чувствительностью и меньшим значением уровня светорассеяния по сравнению с фоторезистом композиции СК-17, имеет два существен­ ных недостат1са: 1) нестабильность светочувствительности во времени из-за тем­ повых химических реакций, что приводит к необходимости экспо­ нирования слоев сразу после напыления, в течение 20-30 минут; 2) малое время «жизни» ГДР из-за разрушения полупроводни­ кового слоя в непосредственной близости слоев серебра. При изготовлении ГДР на вакуумно-напыленных слоях ХСП (ХСП - халькогенидные стеклообразные полупроводники без се­ ребра) используют слои бинарных ХСП: Ge-Se, As-S, As-Se. Длина волны записи для слоев As-S и As-Se равна 441,6 нм. Значительное влияние на основные характеристики ГДР (вол­ новой фронт, дифракционная эффективность, рассеянный свет) ока­ зывает тип травителя и режим обработки. К проявителям предъяв­ ляются достаточно жесткие требования по скорости растворения и селективности травления, отсутствию осадка на поверхности реше­ ток при обработке, качеству поверхности ГДР и т.д. Оптимальный состав слоев ХСП данного вида (As-Se) для полу­ чения ГДР с пространственными частотами штрихов 600 - 3600 мм"' зависит от величины требуемой глубины модуляции профилей и ис­ пользования определенного типа высокоселективных травителей. Экспонирование слоев рекомендуется производить в течение не более 12 часов после нанесения, а обработку - не более 18 часов после экспонирования. Для получения качественных ГДР, характе­ ризуемых как высокой дифракционной эффективностью, так и низ­ ким уровнем рассеянного света и сохранностью оптических харак­ 151

RkJQdWJsaXNoZXIy MTY0OTYy