Оптические материалы и технологии

Изготовление нарезных и голограммных дифракционных реше­ ток отличается между собой операциями формирования штрихов: у ГДР это операции голографического процесса, а у нарезных - опе­ рации механического формирования штрихов с помощью алмазно­ го резца. Остальные операции - изготовление подложек, нанесение защитно-отражающих покрытий, контроль характеристик решеток и их аттестация - одинаковы для обоих технологических процессов. 3.5.2. Технология нанесения светочувствительных слоев Технологический процесс изготовления ГДР на слоях фоторезис­ та композиции СК-17 включает в себя следующие основные операции: 1. Чистка, контроль качества поверхности, термообработка подложек с целью удаления влаги. 2. Нанесение слоев; на вогнутые (диаметромдо 120 мм) подлолжи целесообразно провести способом центрифугирования, а на крупно­ габаритные плоские подложки (до 120 мм) - способом вашсования. 3. Инфракрасная (ИК) сушка слоев перед регистрацией ГДР. На данной операции формируется окончательная величина светочувстви­ тельности слоев, скорость проявления и адгезия слоев к подложке. 4. Проявление. Фоторезист композиции СК-17 позволяет получить ГДР с кон­ центрацией до 65 ± 5 % (при пространственных частотах v = 600 - 3000 ММ"'); с уровнем рассеянного света до значения меньше и размерами до 90 мм. Светочувствительность фоторезиста композиции СК-17 рав­ на 20 мДж/см^ на длине волны А, = 441,6 нм,чтов 1,5-2 раза больше, чем у аналогичного зарубежного фоторезиста AZ-1350. При изготовлении ГДР на слоях полупроводник-металл ис­ пользует слои, имеющие следующий состав: Сг-слой; Ag-слой; (А823з-Аз28ез)-слой халькогенидного стеклообразного полупровод­ никового материала. Формирование рельефа определяется изменением растворимо­ сти экспонированного и неэкспонированного участков в результа­ те изменения свойства пленок вследствие диффузии серебра. Все слои наносятся термоиспарением в вакууме при давлении приблизительно 10"^ мм рт.ст. 150