Технология машиностроения

78 станет полной плоскостью (рис. 1.32), а плоскость 2 станет полуплоскостью 1 , 2 , конец которой (атом 2 в сечении) и есть линия дислокации. Таким образом, при движении дислокаций вдоль направления сдвига происходит смещение верхней и нижней частей кристалла на одно межатомное расстояние путем разрыва лишь одной вертикальной плоскости. В результате перемещений дислокация выйдет на поверхность и исчезнет. На поверхности остается ступенька скольжения (рис. 1.32, г ), кристалл изменит свою форму необратимым образом. Таким образом, в реальных кристаллах происходит не одновременное, а поэтапное смещение атомов. Такое движение называется консервативным или скольжением. Естественно, для этого требуется значительно меньше усилий, чем при одновременном смещении всех атомных плоскостей одной части кристалла относительно другой в плоскости сдвига. Дислокации перемещаются в направлении, перпендикулярном экстраплоскости. Чем легче перемещаются дислокации, тем легче идет пластическая деформация, тем ниже прочность металла. Зависимость прочности металла G от плотности дислокаций n носит название кривой Одинга (рис. 1.33). Рис. 1.32. Пластическая деформация в реальном кристалле