Технология машиностроения

77 Рис. 1.31. Схема расположения атомов в кристалле с экстраплоскостью Количество дислокаций оценивается плотностью дислокаций в кристалле, которая определяется как среднее число линий дислокаций, пересекающих внутри тела площадку площадью 1 м 2 , или как суммарная длина линий дислокаций в объеме 1 м 3 : р = l V  (см –2 , м –2 ). Плотность дислокаций изменяется в широких пределах и зависит от состояния материала. После тщательного отжига плотность дислокаций составляет (10 5 – 10 7 )см –2 , в кристаллах с сильно деформированной кристаллической решеткой плотность дислокаций достигает (10 15 – 10 16 ) см –2 . Плотность дислокации в значительной мере определяет пластичность и прочность материала. Простейшие виды дислокации – краевая и винтовая дислокации. Рассмотрим краевую дислокацию. В реальном кристалле механизм пластической деформации следующий. На рис. 1.32 изображено сечение простого кубического кристалла, содержащего краевую дислокацию с линией вдоль конца полуплоскости 1 . Силы притяжения между атомами уменьшаются с увеличением расстояния между ними. Поэтому связь между атомами 2 и 1' ослаблена, а между 1 и 1' пренебрежимо мала (разорвана). Под действием касательного напряжения τ произойдет перекос решетки. В результате расстояние между атомами 2 и 1' увеличится, а между 1 и 1' уменьшится. При увеличении τ сверх некоторого критического значения связь между атомами 2 и 1' порвется (условно по линии скольжения ММ), а атом 1 соединится с атомом 1' . В результате, верхняя полуплоскость 1 соединится с нижней полуплоскостью и