Автономные инверторы и преобразователи частоты

6 полевые транзисторы (как правило, MOSFET); биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); тиристоры разных видов. Сравнительный анализ силовых полупроводниковых ключей рассмотрен в работе [1]. Современные полупроводниковые приборы позволяют реализовать преобразование мощностей от нескольких ватт до мегаватт. Силовые полупроводниковые компоненты постоянно совершенствуются. Общая тенденция их развития направлена на совершенствование полностью управляемых ключей при минимизации мощностей управления. Сегодня силовые МОП-транзисторы (MOSFET), биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), запираемые тиристоры (GTO), МОП- управляемые тиристоры вытесняют классические триодные тиристоры и биполярные транзисторы практически из всех мощностных и частотных диапазонов. Благодаря развитию элементной базы силовой электроники и схемотехники управляющих устройств были созданы условия для структурной оптимизации электронной преобразовательной техники. В результате этого современные силовые электронные преобразователи имеют сложную структуру, реализующую многозвенное преобразование электроэнергии. Типовая структура силовой части стабилизированного ИВЭП приведена на рис 1.1. Усложнение структуры здесь позволяет достичь максимума кпд при минимальных массово-габаритных показателях и при выполнении требований по качеству выходного напряжения. Высокий кпд обеспечивается за счет предварительной стабилизации с помощью импульсного стабилизатора напряжения (ИСН). Малые размеры и вес достигаются за счет высокочастотного преобразования напряжения. Выходной линейный стабилизатор напряжения гарантирует высокое качество выходного напряжения. Возможности современной полупроводниковой техники позволяют реализовать столь сложную структуру без