Силовая электроника

потерям при низких напряжениях допускают работу на частотах до 100 кГц. Благодаря этому МДП-транзисторы вытесняют из низковольтной преобразовательной аппаратуры (менее 200 В) все остальные типы полупроводниковых приборов. 3. IGBT, благодаря своей структуре, ассимилировал основные положительные свойства биполярной и МОП- структур. Является наиболее прогрессирующим типом силовых приборов, развивающимся в сторону высоких напряжений и токов. Сегодня промышленно выпускаются IGBT на токи превышающие 1500 А и напряжения до 3,5 кВ. 4. Традиционный тиристор пока еще принадлежит классу наиболее мощных и наиболее высоковольтных ключей. Основной недостаток односторонняя управляемость прибора. Им на смену приходят полностью управляемые тиристоры GTO, а так же тиристорные структуры с МОП-управлением обладающие по сравнению с ними значительно меньшей мощностью управления. В то же время IGBT по своим предельным характеристикам приближаются к тиристорам. 5. МОП и IGBT - транзисторы выпускаются в дискретном и модульном исполнении. Сегодня IGBT- модули предлагаемые на рынке основными поставщиками перекрывают диапазоны максимально-допустимых токов от 50 до 1000А и напряжений от 250В до 1700В. Модули на токи до 600А реализуются с включенным в структуру модуля драйвером. Для модулей свыше 600А драйвер поставляется отдельно. 30