Силовая электроника

полупроводниковой структуры, предусматривают также элементы встроенной защиты по току и напряжению. Допускают интерфейс со всеми практически используемыми уровнями входного сигнала. Широкие функциональные возможности интегральных драйверов позволяют эффективно их применять в преобразователях постоянного тока в переменный для электропитания асинхронных и вентильных двигателей, в источниках бесперебойного питания, в высокочастотных импульсных источниках вторичного питания и других силовых устройствах с выходным напряжением до 600 В. 4 Выводы Сегодня IGBT- модули предлагаемые на рынке основными поставщиками перекрывают диапазоны максимально-допустимых токов от 50 до 1000А и напряжений от 250В до 1700В. Модули на токи до 600А реализуются с включенным в структуру модуля драйвером. Для модулей свыше 600А драйвер поставляется отдельно. Из сравнения свойств и характеристик основных типов полупроводниковых приборов используемых в силовых электронных преобразователях следует: 1. Силовой биполярный транзистор, имея существенное преимущество в прямом падении напряжения в сравнении с МОП-транзистором, требует значительных мощностей управления. Недостаток, от которого свободен IGBT. Поэтому в низковольтных устройствах биполярный транзистор вытесняется МОП-транзистором, а в диапазоне повышенных напряжений и мощностей его заменяет IGBT. Тем не менее, силовой биполярный транзистор имеет преимущества в частотных характеристиках перед МОП и пока еще сохраняет за собой нишу применения в дешевых массовых устройствах. 2. Основным недостатком МОП-транзиторов является квадратичное увеличение сопротивления канала при повышении максимально-допустимого напряжения коммутации. По благодаря малым статическим и динамическим 29