Силовая электроника

3 Силовые модули Технологический уровень сегодня позволят выпускать чипы IGBT максимальным размером 16x16 мм. При достигнутых сегодня плотностях коммутируемого тока у IGBT ( 150 А/мм^ - 600 В, 75 А/мм^ - 1200 В) достижение токов коммутации более 50 А возможно только в модульном многокристальном исполнении. В настоящее время силовые ЮВТ-модули выпускаются на токи до 2400А и напряжения коммутации до 3300 В. За последнее десятилетие IGBT модули вытеснили практически из всех областей применения модули на биполярных транзисторах, а также запираемые тиристоры (GTO). Силовые модули разделяются на: - обычные ЮВТ-модули и - интеллектуальные модули. Обычные выпускаются в одно-, двух-, четырех- и шести ключевом исполнении с или без обратных быстро восстанавливающихся диодов (FRD). Интеллектуальные силовые модули (IPM -Intelligent Power Modules) кроме силовой части содержат также датчики, схемы драйверов, защит, диагностики, служебных источников питания и т.п. В настоящее время IPM в основном представляют собой преобразователь частоты электроприводов переменного тока, исключая контроллер управления. В последующих поколениях планируется сам контроллер включить в состав модуля. 3.1 Силовые интегральные модули. Большинство производителей силовые полупроводниковых элементов выпускает серии силовых интегральных схем простого типа содержащие один или несколько силовых МОП или IGBT ключей. IGBT модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой - одноключевой прерыватель(с11оррег); 22