Силовая электроника

Использование силовых приборов в источниках бесперебойного питания в зависимости от мощности и частоты показано на рис. 11 ЗООкВт 200кВт 150кВт IGBT 75кВт MOSFET ШкВт 50кГц бОкГц 2кГц 4кГц ЮкГц 20 25кГц Рис. 11 Сегодня MOSFET и IGBT , силовые интегральные схемы и модули на их основе вытесняют практически из всех областей тиристоры, биполярные транзисторы и GTO., т.к. при тех же коммутируемых токах и напряжениях (до 3,5 кВ, 1200А) они имеют: - значительно меньшие мощности управления; - время коммутации; -стойкость к перегрузкам по току и по напряжению; -более широкую область безопасной работы ограничена только температурой кристалла, а у БПТ она ограничена еще и эффектом вторичного пробоя) следствие этого -более высокие частоты коммутации (до 50кГц); - простота и меньшие мощности драйверов и снабберов. По прогнозам IGBT полностью заменит биполярный транзистор и GTO в преобразователях до единиц МВА [10].В области малых мощностей и низковольтных преобразователях будут доминировать MOSFET. Для GTO остается область больших мощностей. МСТ (MOS-GTO) из-за технологических трудностей и высокой цены заменить GTO пока не способны. 21