Антенно-фидерные СВЧ-устройства

213 Согласно матричной модели свойства системы активного и пассивных излучателей определяет матрица полных сопротивле - ний системы входов элементов : [ ] б 11 12 б б 21 22 , A Z Z Z Z Z         =             (9.12) где 11 Z – собственное входное сопротивление активного элемента ; б 12 Z     и б 21 Z     – блочные матрицы взаимных сопротивлений ак - тивного и пассивных элементов ; б 22 Z     – матрица сопротивлений , соответствующая пассивным элементам . Элементы матрицы [ ] A Z полностью определяются параметрами и расположением элемен - тов в составе метаматериала . Токи в элементах решетки равны : [ ] 1 б 11 12 б б 21 22 н , 0 A act A A pas z Z Z J U J J Z Z E −             = =              +          (9.13) где A act J и A pas J – токи в активном и пассивных излучателях . По значениям токов A J определяется ДН антенны : ( ) ( ) , , , A F e J θ ϕ = θ ϕ (9.14) где парциальные ДН активного и пассивного излучателей для еди - ничных возбуждающих токов ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 1 2 , , , , , , , , , act pas pas pasN e e e e e θ ϕ = θ ϕ θ ϕ θ ϕ … θ ϕ . (9.15) Таким образом , варьируя параметры и местоположение эле - ментов метаструктуры , можно изменять форму ДН - антенны в це -