Антенно-фидерные СВЧ-устройства

120 находятся в почти одинаковых условиях , т . е . окружены со всех сторон примерно одинаковым числом излучателей , имеющих с ни - ми заметные уровни электромагнитной связи . Пусть на вход s - го элемента поступает волна единичной амплитуды , а для остальных излучателей пад 0, i U i s = ≠ . В этом случае токи в элементах антен - ны равны : ( ) , 2 2 , 1 1 , 1 , 1 1 ; ; ; . s s s s s s s s s s s s S J S J J S J S − − − − + + = −     = −     = −    = −  (5.25) ДН антенны при единичном возбуждении s - го элемента име - ет следующий вид : ( ) ( ) /2 sin э , /2 1 , N jkpd s s s p p N F F S e − ⋅ θ + =−   θ ≈ θ −      ∑ (5.26) где N – число элементов решетки , для которых величины , s k S имеют заметные уровни ; ( ) э F θ – ДН элемента решетки . ДН s - элемента в системе является ДН антенной решетки из N излучателей с амплитудно - фазовым распределением , соответст - вующим возбуждению излучателей рассматриваемой решетки за счет взаимной связи ее элементов . Для больших антенных решеток ДН излучателей в системе оказываются примерно равными для всех ее элементов . Поэтому вводится понятие ДН элемента в сис - теме ( ) сист F θ , определяемое в соответствии с формулой (5.26). Анализ выражения (5.26) показывает значительные отличия ДН элемента в системе от ДН изолированного излучателя ( ) э F θ . Характер этих изменений определяется множителем решетки ( второй сомножитель в выражении (5.26)). При этом , чем более