Автоматизация сбора и первичной обработки информации

19 типа Герман ий p - типа 102 – n - типа –150 – Для полупроводниковых материалов G в 50 – 70 раз больше, чем для металлов. Обычно тензорезисторы включаются по мостовой схеме, выходной сигнал моста с проволочными тензорезисторами составляет не более 10 – 50 мВ при относительной деформации / L L  =1% увеличения длины проводника. Наибольшее распространение получили приборы, в которых тензорезисторы включаются в неуравновешенный мост, питаемый переменным током, или даже импульсным для увеличения чувствительности датчика, у которого при таком решении с увеличением амплитуды сигнала в меньшей степени греется тензодатчик, а значит, нет температурной зависимости. Особенно перспективны полупроводниковые тензометры диффузионного типа. Диффузионные тензометры на кремниевой подложке обладают высокой чувствительностью. Пример такого датчика для измерения артериального давления приведен на рис. 1.22. Травлением по тонкопленочной технологии на поверхности кристалла кремния с n - проводимостью формируется круглая диафрагма (рис. 1.22, а ), по краям которой методом диффузии наносятся пленочные резисторы, имеющие p -проводимость (рис. 1.22, б ). Если к диафрагме прилагается давление, то сопротивление одной из пар резисторов из-за их ориентации увеличивается, а другой уменьшается (рис. 1.22, в ). Мембрана Р R 1 R 2 R 2 R 1 R 1 R 1 R 2 R 2 U вых + - а б в Рис. 1.22 Включение датчиков (тензометров) по мостовой схеме позволяет уменьшить температурную зависимость измерительной схемы и повысить ее чувствительность (рис. 1.22 и 1.23). При этом необходимо уметь правильно выбирать ориентацию датчиков на объекте таким образом, чтобы влияние измеряемого осевого усилия приводило к изменению сопротивлений тензодатчиков в измерительном мосте так, как это показано на рис. 1.23. Рис. 1.23 R (1+ x ) R (1– x ) R (1+ x ) R (1– x ) U ист + - + - + -