Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

полупроводниковых приборов. Однако этим схемам присущ ряд недостатков в силу того, что технология производства полупроводниковых ИМС практически исключает возможность получения широкой шкалы номинальных значений со­ противлений диффузионных резисторов и емкостей конденсаторов. Кроме того, наличие большого числа паразитных связей между элементами приводит к ухудшению электрических характеристик этих схем. Принципиальный недо­ статок полупроводниковых ИМС - невозможность реализации на основе эф­ фектов в полупроводниках индуктивных элементов. В силу этого полупровод­ никовые ИМС находят широкое применение при проектировании устройств цифровой обработки сигналов, в то время, как гибридные ИМС заняли домини- руюш,ее положение в устройствах с аналоговой обработкой сигналов. Как вид­ но из изложенного, для всех типов микросхем имеет место интеграция как по конструктивным признакам - формирование всех элементов либо в объеме по­ лупроводника, либо на изоляционной поверхности и их неделимость, так и по технологическим признакам - использование групповых методов обработки. Хронология наиболее важных изобретений, определяюш,их различные этапы создания интегральных микросхем, позволяет судить об интенсивности проводимых в этом направлении работ: 1947 год - создание точечного сплавного транзистора; 1950 год - получение монокристалла германия; 1951 год - создание биполярного и МОП-транзисторов; 1952 год - получение монокристаллического кремния; 1956 год - изобретение диффузионного транзистора; 1958 год - изобретение планарного транзистора; 1959 год - реализация полупроводниковой схемы; 1960 год - создание эпитаксиальных транзисторов; 1962 год - создание интегральных схем по КМОП технологии; 1969 год - создание большой интегральной схемы (БИС); 1971 год - разработка микропроцессора; 1975 год - разработка сверхбольшой интегральной схемы (СБИС). 6